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Diskrete Halbleiter-Produkte
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Sensoren, Wandler
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Anschlüsse, Verbindungen
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CSD17313Q2
| Artikelnummer: | CSD17313Q2 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | N/A |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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| Anzahl | Einzelpreis |
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-
CSD17313Q2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments CSD17313Q2.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 1.8V @ 250µA Vgs (Max) +10V, -8V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse 6-WSON (2x2) Serie NexFET™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 4A, 8V Verlustleistung (max) 2.3W (Ta) Verpackung / Gehäuse 6-WDFN Exposed Pad Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 340 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.7 nC @ 4.5 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 3V, 8V Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5A (Tc) Grundproduktnummer CSD17313 CSD17313Q2 Einzelheiten PDF [English] CSD17313Q2 PDF - EN.pdf -
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Wir inspizieren alle Waren vor dem Versand, um sicherzustellen, dass sie in ausgezeichnetem Zustand sind, und überprüfen, ob die Teile neu, originell sind, und entsprechen den Datenblattspezifikationen.Nachdem wir bestätigt haben, dass alles in Ordnung ist, verpacken wir die Artikel sicher und versenden sie über Global Express.
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